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APT50GT120B2RDLG
国产替代
型号
原型号
MI
Microchip Technology
APT50GT120B2RDLG
IGBT类型
NPT(非穿通型)
耗散功率(Pd)
694W
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
106A
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