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TSZ1J2A45-N
国产替代
型号
原型号
TO
Toshiba Semiconductor and Storage
TSZ1J2A45-N
IF-二极管正向电流
30mA
VISO-隔离电压等级
2000V
共模抑制比
NKV/us
最大工作温度
80℃
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