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| 电源 | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 0.4A |
| VCBO-集基级击穿电压 | 55V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 30V |
| VEBO-射基级击穿电压 | 3.5V |
| 交流 / 直流特性 | |
| fT-变换频率 | NMHZ |
| hFE-最小直流增益 | 25 |
| 最小直流增益 | 25 |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO39 |
| 最大工作温度 | 200°C |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 5W |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 1V |
| 引脚数量1 | 3 |
器件图片
技术资料
数据手册数据手册 · 671.5 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 4.4 MB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 3.2 MB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 1.9 MB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 1.7 MB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 297.5 KB · 2026-09-22质量与可靠性质量与可靠性 · 235.6 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 170.3 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 106.0 KB · 2026-09-22变更与勘误变更与勘误 · 80.8 KB · 2026-09-22
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