2N7002-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款N型场效应管，适用于精确控制小电流的电子设备。其参数为：最大电流0.3A，耐压60V，内阻典型值1000mR，栅源极电压VGS为20V。适用于电源管理、信号放大等应用，确保电路稳定高效。(2N7002,215)
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻2 Ω
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻2 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,0.1A |
| 数量 | 1个N沟道 |