2N7002DW
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款消费级MOSFET采用SOT-363微型封装，内含双N沟道结构，额定电压高达60V，最大连续电流为0.1A，适用于低功率电子设备的精密电源管理和高效开关应用。其小巧尺寸与高性能设计提供了灵活且可靠的电路解决方案。
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻3 Ω
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻3 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,500mA |
| 数量 | 2个N沟道 |