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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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沟道
N 沟道
耐压
60 V
连续漏极电流
300 mA
电源
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
300mA
其他
数量
2个N沟道
耗散功率(Pd)
350mW
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数据手册 · 21.9 MB · 2026-09-21
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