JSMSEMI(杰盛微)中国

2N7002K

晶体管 - FET，MOSFET - 单

防静电，应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

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沟道N 沟道
耐压60 V
导通电阻7.5 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
导通电阻7.5 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
其他
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@10V,0.5A
数量1个N沟道
耗散功率(Pd)350mW

技术资料

数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1022.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
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