ALJ(龙晶微)中国
2N7002T
晶体管 - FET，MOSFET - 单特性：N沟道增强型MOSFET。VDS 漏-源电压 60 V。ID 漏极电流（连续） 115 mA。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。 应用：负载开关、便携设备等
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特性：N沟道增强型MOSFET。VDS 漏-源电压 60 V。ID 漏极电流（连续） 115 mA。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。 应用：负载开关、便携设备等
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