特性:NPN型超高频低噪声晶体管。最高集电极-发射极电压(Vceo)为 12V,最大集电极电流(Ic)为 100mA,功耗 200mW。高功率增益与极低噪声。高频低噪放大器:用于VHF、UHF频段和CATV(有线电视)高频宽带低噪声放大器。无线通信:用于无线遥控器、射频模块、卫星电视接收器、光纤模块等。

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