Sanyo日本

2SD1247S-AE

单个双极晶体管TO-226-3

NPN SILICON TRANSISTOR

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类型NPN
集射极耐压25 V
集电极电流2.5 A
放大倍数 hFE140

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技术参数

类型NPN
集射极耐压25 V
集电极电流2.5 A最大
放大倍数 hFE140100mA
功率1 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)2.5 A
Power - Max1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)25 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition150MHz
环境与封装
Grade-
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature150°C (TJ)
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Qualification-
Supplier Device Package3-MP
其他
MfrSanyo
PackagingBulk
Part StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 75mA, 1.5A

技术资料

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