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技术参数

电源
CTR-最小电流传输比率100%
ID-最大漏极电流4A
IF-二极管正向电流60mA
VCEO耐压/输出负载电压55V
VDSS-最大漏源电压300V
最大暗电流100nA
最大输出电流100mA
交流 / 直流特性
共模抑制比NKV/us
环境与封装
VISO-隔离电压等级5000V
封装类型1TO252
最大工作温度100℃
最小工作温度-55℃
其他
Pd-功率耗散150mW
Qg-栅极电荷NnC
VF-二极管导通压降1.5V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
最大数据速率NMbps

技术资料

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