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4N60L-B-TN3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,600V,4A

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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流4 A
导通电阻2.5 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流4 A
导通电阻2.5 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
其他
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V,2.2A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 441.1 KB · 2026-09-21
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