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5P10

晶体管 - FET，MOSFET - 单

MOS场效应管

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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流5 A

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技术参数

沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流5 A
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5A
其他
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)3W

技术资料

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