MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1~2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):40-45 连续漏极电流ID(A):5A

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流5 A
导通电阻49 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流5 A
导通电阻49 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
其他
导通电阻(RDS(on))49mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料