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晶体管 - FET,MOSFET - 单
HL(富海微)
6005
HL(富海微)
中国
6005
晶体管 - FET,MOSFET - 单
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1~2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):40-45 连续漏极电流ID(A):5A
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沟道
N 沟道
耐压
60 V
连续漏极电流
5 A
导通电阻
49 mΩ
最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
5A
其他
导通电阻(RDS(on))
49mΩ@10V
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数据手册 · 633.7 KB · 2026-09-21
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