Fosan美国

AO3401

晶体管 - FET，MOSFET - 单

小体积

查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.4 A
导通电阻96 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.4 A
导通电阻96 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.4A
其他
导通电阻(RDS(on))96mΩ@2.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 659.9 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 508.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 483.5 KB · 2026-09-21
进入资料中心