P沟道高级功率MOSFET

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4 A
导通电阻48 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4 A
导通电阻48 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
其他
导通电阻(RDS(on))48mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

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