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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
N沟道,30V 4A
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沟道
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沟道
N 沟道
耐压
30 V
连续漏极电流
4 A
导通电阻
110 mΩ
最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4A
其他
导通电阻(RDS(on))
110mΩ@2.5V
数量
1个N沟道
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数据手册 · 592.0 KB · 2026-09-21
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数据手册 · 54.2 KB · 2026-09-21
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