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MOS场效应管

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3 A
导通电阻56 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3 A
导通电阻56 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A
其他
导通电阻(RDS(on))56mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料

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