HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

这款P沟道MOSFET具备4.1A的最大排水电流（ID/A），耐压值（VDSS/V）为20V，其导通电阻（RDSON/mR）为34毫欧，并能在栅源电压（VGS/V）为10V时有效工作。该元件适用于设计需要紧凑型低功耗切换解决方案的场合，例如日常电子消费品内部的电源管理单元或是其他需要精确电流控制与高效能量转换的应用中，能够确保电路在承受一定负载的同时维持稳定的性能表现。