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AO3416

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道增强型MOSFET,电流:6A,耐压:20V

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻26 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻26 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
其他
导通电阻(RDS(on))26mΩ@2.5V,5A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 204.6 KB · 2026-09-21
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