HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

这款P沟道场效应管（MOSFET）提供2.3A的连续漏极电流（ID/A），适用于需要精确电流控制的应用。其最大工作电压（VDSS/V）为20V，适合在低压系统中使用。导通电阻（RDSON/mR）为120毫欧，使得在导通状态下的功耗较低。栅源电压（VGS/V）最大值为12V，提供了稳定的驱动条件。此MOSFET可用于便携式设备、电池保护电路或任何需要高效能低功率切换的应用中。