APM(永源微电子)中国

AP3400AI

晶体管 - FET，MOSFET - 单

30V N沟道 MOSFET,电流:5.8A,耐压:30V

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻28 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻28 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
其他
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.2 MB · 2026-09-21
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