APM(永源微电子)中国

AP4435A

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道增强型MOSFET,电流:9.5A,耐压:-30V

查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流9.5 A
导通电阻20 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流9.5 A
导通电阻20 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9.5A
其他
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.5 MB · 2026-09-21
进入资料中心