APM(永源微电子)中国

AP50N10D

晶体管 - FET，MOSFET - 单

100V N沟道增强型MOSFET,电流:50A,耐压:100V

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流50 A
导通电阻28 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流50 A
导通电阻28 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
其他
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.5 MB · 2026-09-21
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