AS3400
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED中国台湾

AS3400

在产晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT-23

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.6 A
导通电阻27 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.6 A
导通电阻27 mΩ最大 · 5.6A
阈值电压1.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Power Dissipation (Max)1.2W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds535 pF @ 15 V
MfrANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.6A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

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