BAS16HMFHT116

不推荐用于新设计二极管 - 整流器 - 单TO-236-3

DIODE GEN PURP 80V 215MA SSD3

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反向耐压80 V
平均整流电流215 mA
正向压降1.25 V
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技术参数

反向耐压80 V
平均整流电流215 mA
正向压降1.25 V最大 · 150 mA
类型标准Fast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 80 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction150°C(Max)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSSD3
其他
Base Product NumberBAS16
Capacitance @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
Diode TypeStandard
MfrRohm Semiconductor
Product StatusNot For New Designs
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
SeriesAutomotive, AEC-Q101
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

技术资料

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