全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
IC-最大集电极电流0.1A
VCBO-CB结击穿电压30V
VCBO-集基级击穿电压30V
VCEO-CE结击穿电压30V
VCEO-集射级击穿电压30V
VEBO-EB结击穿电压6V
VEBO-射基级击穿电压6V
交流 / 直流特性
fT-变换频率300MHZ
hFE-最小直流增益420
Hfe-最小直流增益420
环境与封装
封装类型1SOT23
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散0.2W
Pd-最大功率耗散0.3W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.25V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

技术资料

该型号暂未收录资料。