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技术参数

电源
Ic-最大集电极电流0.1A
IC-最大集电极电流0.1A
VCBO-CB结击穿电压80V
VCBO-集基级击穿电压80V
VCEO-CE结击穿电压55V
VCEO-集射级击穿电压65V
VEBO-EB结击穿电压5V
VEBO-射基级击穿电压5V
交流 / 直流特性
fT-变换频率150MHZ
hFE-最小直流增益220
Hfe-最小直流增益110
环境与封装
封装类型1SOT23
封装类型2SC-75
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散0.35W
Pd-最大功率耗散0.2W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.5V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.3V
引脚数量13
引脚数量23

技术资料