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技术参数

电源
IC-最大集电极电流1A
VCBO-CB结击穿电压100V
VCBO-集基级击穿电压100V
VCEO-CE结击穿电压80V
VCEO-集射级击穿电压80V
VEBO-EB结击穿电压5V
VEBO-射基级击穿电压5V
交流 / 直流特性
fT-变换频率130MHZ
hFE-最小直流增益40
Hfe-最小直流增益40
环境与封装
封装类型1SOT223
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散2W
Pd-最大功率耗散1.33W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.5V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量14

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技术资料