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技术参数

电源
IC-最大集电极电流10A
VCBO-集基级击穿电压80V
VCEO-CE结击穿电压80V
VCEO-集射级击穿电压80V
交流 / 直流特性
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益0.75
Hfe-最小直流增益0.75
环境与封装
封装类型1TO220
最大工作温度150℃
其他
VCE(sat)-CE结饱和压降2.5V
VCE(sat)-集射级饱和压降2.5V
引脚数量13

技术资料

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