BSP373-VB
晶体管 - FET,MOSFET - 单台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道型器件,采用Trench工艺制造,适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223;N—Channel沟道,100V;5A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流5 A
导通电阻120 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流5 A
导通电阻120 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |