BSP373N-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道型器件，采用Trench工艺制造，适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223；N—Channel沟道,100V；5A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
沟道N 沟道
耐压100 V
导通电阻100 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
导通电阻100 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |