全部替代型号
查看完整报告技术参数
| 电源 | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 0.36A |
| VDSS-最大漏源电压 | 50V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 1.5V |
| 交流 / 直流特性 | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 1600mΩ |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | SOT523 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 0.15W |
| Qg-栅极电荷 | NnC |
| Vgs-栅源耐压 | 20V |
| 内置ESD保护二极管 | 1 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |
| 电源 | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 0.36A |
| VDSS-最大漏源电压 | 50V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 1.5V |
| 交流 / 直流特性 | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 1600mΩ |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | SOT523 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 0.15W |
| Qg-栅极电荷 | NnC |
| Vgs-栅源耐压 | 20V |
| 内置ESD保护二极管 | 1 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |