BSS138PW,115

BSS138PW,115

在产单 FET,MOSFETSOT-323

【联系:sales@hxymos.com】该N沟道场效应管额定漏极电流为0.1安培,漏源击穿电压60伏,导通电阻1300毫欧,栅源电压耐受值20伏。器件适用于低压信号切换及小功率负载驱动场景,常见于便携式仪器电源管理、电池保护回路及小型控制模块。其参数特性支持在紧凑电路设计中实现高效的开关控制,满足对空间布局与基础电气性能有明确要求的电子设备应用需求。

连续漏极电流100 mA

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技术参数

连续漏极电流100 mA
环境与封装
封装SOT-323
其他
ID0.1A
RDON1300mR
TYPEN沟道
VDSS60V
VGS20V

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