N沟道MOSFET,低导通电阻、快速开关速度,适用于便携式设备

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沟道N 沟道
耐压50 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻1.6 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压50 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻1.6 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)300mA
其他
导通电阻(RDS(on))1.6Ω@10V
数量1个N沟道

技术资料

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