CBI(创基)中国

BSS84

晶体管 - FET，MOSFET - 单
查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻10 Ω

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻10 Ω最大 · 5V
电源
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
其他
导通电阻(RDS(on))10Ω@5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.7 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 800.6 KB · 2026-09-21
进入资料中心