BORN(伯恩半导体)中国

BSS84

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻2 Ω

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技术参数

沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻2 Ω最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
其他
导通电阻(RDS(on))2Ω@4.5V,0.13A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 23.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 855.1 KB · 2026-09-21
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