BSS84

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为50V电压应用设计,额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关特性,尤其适用于电池保护、信号切换等精细功率控制场合,实现电子设备高效节能的运作。

沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻5 Ω

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技术参数

沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻5 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
其他
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V
数量1个P沟道

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