BSS84
晶体管 - FET,MOSFET - 单该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为50V电压应用设计,额定电流0.1A。具备低导通电阻和快速开关特性,尤其适用于电池保护、信号切换等精细功率控制场合,实现电子设备高效节能的运作。
沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻5 Ω
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沟道P 沟道
耐压50 V
连续漏极电流130 mA
导通电阻5 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |