BSS84PH6327(ES)
晶体管 - FET，MOSFET - 单带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流200 mA
导通电阻3.5 Ω
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流200 mA
导通电阻3.5 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,150mA |
| 数量 | 1个P沟道 |