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技术参数

数据速率150 Mbps最大
电源
VIOSM-浪涌电压8KV
VIOTM-瞬态过电压8KV
前向通道数2ch
双向通道数0ch
后向通道数1ch
最大工作电压5.5V
最小工作电压2.5V
交流 / 直流特性
tpHL-关断传输延迟时间15ns
tpLH-开通传输延迟时间15ns
脉宽失真时间5ns
环境与封装
VISO-隔离电压等级5700Vrms
封装类型1WWBSOIC
最大工作温度125℃
最小工作温度-40℃
其他
ESD(CDM)2KV
ESD(HBM)6KV
tf-下降时间2.5ns
tr-上升时间2.5ns
共模瞬态抗扰度100KV/us
引脚数量116
最大数据速率150Mbps

器件图片

技术资料