CMD180P03
晶体管 - FET,MOSFET - 单MOS管,TO-252,P沟道,耐压:-30V,电流:-150A,10V内阻:2.8mΩ,4.5V内阻:3.5mΩ,功率:140W,CISS(Typ):6900PF
耐压30 V
连续漏极电流150 A
导通电阻2.8 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
耐压30 V
连续漏极电流150 A
导通电阻2.8 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | <SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>140W</SPAN> |