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数据速率200 kbps最大
| 电源 | |
|---|---|
| VIOSM-浪涌电压 | 4KV |
| VIOTM-瞬态过电压 | 4.242KV |
| VISO-隔离电压 | 3000Vrms |
| 前向通道数 | 2ch |
| 双向通道数 | 0ch |
| 后向通道数 | 0ch |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最大工作电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 2.25V |
| 最小工作电压 | 2.25V |
| 交流 / 直流特性 | |
| TpHL传播延迟时间 | 2000ns |
| tpHL-关断传输延迟时间 | 2000ns |
| TpLH传播延迟时间 | 2000ns |
| tpLH-开通传输延迟时间 | 2000ns |
| 脉宽失真时间 | 100ns |
| 环境与封装 | |
| VISO-隔离电压等级 | 3000Vrms |
| 封装类型1 | SOIC |
| 最大工作温度 | 105℃ |
| 最小工作温度 | -40℃ |
| 其他 | |
| ESD(CDM) | 2KV |
| ESD(HBM) | 6KV |
| Tf上升时间 | 2.5ns |
| tf-下降时间 | 2.5ns |
| Tr上升时间 | 2.5ns |
| tr-上升时间 | 2.5ns |
| 共模瞬态抗扰度 | 100kV/μs |
| 引脚数量1 | 8 |
| 最大数据速率 | 0.2Mbps |