GME(银河微电)中国

D882

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技术参数

电源
IC-最大集电极电流	3A
VCBO-CB结击穿电压	40V
VCBO-集基级击穿电压	40V
VCEO-CE结击穿电压	30V
VCEO-集射级击穿电压	30V
VEBO-EB结击穿电压	6V
VEBO-射基级击穿电压	6V
交流 / 直流特性
fT-变换频率	50MHZ
hFE-最小直流增益	60
Hfe-最小直流增益	60
环境与封装
封装类型1	SOT89
其他
Pd-功率耗散	1.25W
Pd-最大功率耗散	0.5W
VCE(sat)-CE结饱和压降	0.5V
VCE(sat)-集射级饱和压降	0.5V
引脚数量1	3

技术资料

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