HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

本产品为数字晶体管，内置单个PNP型预偏置晶体管，适用于需要信号处理和开关控制的电路设计。其集射极击穿电压（Vceo）可达50V，支持最高100mA的集电极电流（Ic），具备200mW的耗散功率（Pd），能够在较宽的工作范围内稳定运行。该器件常用于通信设备、消费类电子产品及便携式仪器中的逻辑转换、驱动控制等场景，具备良好的兼容性和可靠性，适合在通用数字电路中实现高效、低功耗操作。