F2932

模拟开关 - 专用4 mm x 4 mm 16 pin QFN

IC RF SWITCH SP2T 50MHZ-8GHZ 16QFN

F2932是一款50Ω SP2T吸收式RF开关,频率范围50 MHz至8000 MHz,工作电压2.7 V至5.5 V,采用4 mm x 4 mm 16引脚QFN封装,具有低插损和高线性度。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

22 项
参数值和测试条件出处
封装4 mm x 4 mm 16 pin QFN
工作温度-40 °C to +105 °C
RoHSGreen
推荐供电电压Min 2.7 V, Max 5.5 V
绝对最大供电电压Min -0.3 V, Max +6.0 V
RF频率范围Min 50 MHz, Max 8000 MHz
直流电流Typ 260 μA, Max 325 μA @ VDD=5.0 V
插入损耗Typ 0.79 dB, Max 1.1 dB @ 2 GHz
隔离度Min 63 dB, Typ 67 dB @ 2 GHz
输入IP3Typ 64 dBm @ 2 GHz, PIN=+15 dBm/tone
输入IP2Typ 111 dBm @ 2 GHz, PIN=+20 dBm/tone
切换时间Typ 210 ns (50% control to 90% RF)
最大切换速率Max 25 kHz
逻辑输入高阈值Min 1.1 V, Max Lower of (3.6, VDD) V
逻辑输入低阈值Min -0.3 V, Max 0.6 V
最大结温Max +140 °C
存储温度范围Min -65 °C, Max +150 °C
ESD HBMClass 2 (2500V)
ESD CDMClass C3 (1000V)
结-环境热阻60 °C/W
结-壳热阻3.9 °C/W
湿度敏感等级MSL 1

引脚与封装

封装4 mm x 4 mm 16 pin QFN

脚位名称功能出处
1VDD电源。需通过电容旁路至GND,电容应尽可能靠近引脚。
2VCTL当EN为低电平时控制所选路径。当EN为高电平时禁用。
3RFCRF公共端口。当选择两个RF端口之一时匹配至50 Ω。如果此引脚不是0 V DC,则必须使用外部耦合电容。
5EN当EN为低电平时,允许VCTL控制所选开关路径。当EN设置为高电平时,器件处于所有路径关闭状态并禁用VCTL控制。
9RF1RF1端口。匹配至50 Ω。如果此引脚不是0 V DC,则必须使用外部耦合电容。
12RF2RF2端口。匹配至50 Ω。如果此引脚不是0 V DC,则必须使用外部耦合电容。
17EP裸露焊盘。内部连接至GND。将此裸露焊盘焊接到使用多个接地过孔的PCB焊盘上,以提供从器件到PCB接地层的热传递。这些多个接地过孔也是实现规定的RF性能所必需的。
4, 6, 7, 8, 10, 11,GND地。内部连接至接地焊盘。应尽可能靠近器件接地。

器件图片

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。