HL(富海微)中国

HL4N15L

晶体管 - FET，MOSFET - 单

4N15L/沟槽/Single N/150V/4A/245mΩ

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沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流4 A
导通电阻245 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流4 A
导通电阻245 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)4A
其他
导通电阻(RDS(on))245mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

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