HUASHUO(华朔)中国

HSBA3454

晶体管 - FET，MOSFET - 单

双N沟道快速开关MOSFET，采用先进沟槽MOS技术，低栅极电荷和低导通电阻

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流30 A
导通电阻6 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流30 A
导通电阻6 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
其他
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
数量2个N沟道

技术资料

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