HSBA3482
晶体管 - FET，MOSFET - 单双路非对称N沟道CMOS FET，采用先进SGT MOS技术，低导通电阻，100% EAS保证，有环保型号
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流58 ~ 99 A
导通电阻4 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流58 ~ 99 A<SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>99A</SPAN>
导通电阻4 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | <SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>99A</SPAN>；58A |
| 连续漏极电流(Id) | 99A；58A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |
技术资料
该型号暂未收录资料。