HUASHUO(华朔)中国

HSM3031

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道快速开关MOSFET，具备超低栅极电荷和先进沟槽技术

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流16.8 A
导通电阻5 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流16.8 A
导通电阻5 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16.8A
其他
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

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