锁谷/内置GaN/X电容泄放/零功耗

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技术参数

电源
待机功耗< 5mW
交流 / 直流特性
最高频率72/95/138/184 kHz
环境与封装
封装DFN18(6*8)
其他
供电方式辅助绕组
供电范围6.5~75 V
功率管内置210mohm GaN
包装3K/盘
反馈模式SSR
外置OTP√
工作模式CCM+QR/QR
特性锁谷/内置GaN/X电容泄放/零功耗

技术资料

该型号暂未收录资料。